曾经分不清电子爱好者和无线电爱好者的区别，很长时间里自诩为无线电爱好者，后来逐渐明白，无线电爱好者的门槛其实更高，要花的钱也更多，即使将收音机爱好者也算作无线电爱好者，收音机电路其实也比多数电子电路复杂，甘做电子爱好者，心中也就释然了。
　　除去无线电，电子的领域仍然很宽泛，即使科班出身的人，也难以涵盖全部，不过这样的爱好者一般都有相当的理论基础，即使爱好离所学专业很远，恐怕也不算业余爱好者了。与“正宗”的业余爱好者相比，这样的爱好者显然要幸福得多了。
　　“正宗”的业余爱好者很难有从事专业研究的机会，爱好以体验实践为主也就不足为奇了：对理论与原理不求甚解，系统创新的东西，基本上就不要想了。请不要误解，这不是为轻视基础理论研究找借口，尽管这也是很多生产商忽略的地方：一旦过了专门学习的人生阶段，系统学习、实践一门知识实在不是件容易的事情。
　　虽然有幸接受过高等教育，专业却也是与电子不相干。有幸的是，初中的时候，上到了一所实验室和实验条件都相当好的学校，当初中物理电学部分学完的时候，我就已经能独立为家里的家用电器布线了：选线、走线、保险丝、插座、灯头……此后，从高中到大学，我有幸遇到过实验室条件好得多的学校，但是再也没有机会遇到实验条件这样好的学校了，也愈发意识到我们的实践机会太少了，尤其是对电子而言。
　　笔者的工作与电无关，工作之余，有幸参与了一家民营企业对板级封装模块的研发与试生产，在与客户的工程师们打交道的过程中，我不止一次被问及诸如“125W的管子（VMOS或IGBT）能输出多大的功率？”之类的问题，这个乍一听有理（应该给予回答）的问题，实际上却是个伪问题：“管子”就像是盖大楼的砖与水泥，路边的窝棚和百米高楼，基本的材料都是砖与水泥，它们能盖多高的楼？
　　如果这本书能够给予你大胆使用“新型”器件的勇气并且不被诸如“铁素体比铁氧体如何如何优秀”之类的问题迷住眼的话，这本书的目的就达到了。本书试图探讨解决“什么是什么的问题”。
　　“预防医学‘’硕士吴红静女士、”食品科学“博士涂追先生帮助笔者完成了书中所有非中文专业术语的翻译与勘校工作，资深电子爱好者郑玉山、工程技师（机械专业）王文丽、销售经理（非电专业）王素苹参与了本书插图的绘制和资料选编，从事电动三轮车充电器生产的技师朱由恭师傅也给本书的编写提供了相当宝贵的建议，与本书相关的爱好者、业者在工作实践中所积累的、虽然不够系统、但是数量却足以用”海量“来形容的应用资料，则是本书的基石，在此一并向他（她）们致以最诚挚的谢意。
　　本书在某些方面可能不够严谨，”创新“的东西可能也不如你所想的那么多，不过，如果你能够将重新组合也视为”创新“的话，你还是能够发现很多作者自己的观点。当然，疏漏不足之处自然也是难免的，还望”无意间“读到本书的人能给予宽容，如果有可能，更希望能够不吝斧正。

　　《实用电子技术丛书：场效应管基础与应用实务》是“实用电子技术丛书”之一，从实践和一般应用的角度全面介绍了场效应管（FET）。重点介绍了市场上的主流品种-VMOS的应用知识。考虑到《实用电子技术丛书：场效应管基础与应用实务》是针对功率电子领域的入门者与实践者，因此尽量避免介绍很深的理论知识而侧重于应用，同时侧重了知识面的“广度”方面的介绍，试图达到“抛砖引玉”的目的。
　　《实用电子技术丛书：场效应管基础与应用实务》内容包括认识FET、实践入门、VMOS的技术参数详解、JFET（结型FET）的技术参数概述，基本电路、范例电路等几部分。作者根据自己的从业经验，从实践出发，试图从应用的角度告诉读者，撇开芯片级的FET制造、设计理论，FET用起来并不难。
　　《实用电子技术丛书：场效应管基础与应用实务》对于电子爱好者、即将就业的电子专业大学生有启发性作用，对刚刚从事电器、电工、电子电路硬件设计的工程师亦有参考价值，也适合工科院校的非电专业作为基础专业教材。

第1章 认识场效应管
1.1 身边的场效应管
1.1.1 从麦克风说起
1.1.2 打开一块手机的锂电池
1.1.3 运算放大器
1.2 场效应管是如何工作的
1.2.1 N型、P型半导体与N+型、P-型半导体
1.2.2 FET是如何工作的:N沟道、P沟道
1.2.3 场效应管的简单分类:JFET与MOSFET
1.2.4 JFET是如何工作的
1.2.5 MOSFET是如何工作的
1.3 场效应管的种类
1.3.1 TMOS、VMOS
1.3.2 DMOS、餗OS
1.3.3 VDMOS(VMOS)、UMOS(UDMOS、UVDMOS)
1.3.4 LDMOS
1.3.5 HEXMOS与管芯结构
1.3.6 耗尽型MOSFET
1.3.7 VFET、V-FET与SIT
1.3.8 MESFET
1.3.9 HFET、HEMT、HHMT
1.3.1 0DGMOSFET、FinFET、PSDGMOSFET
1.3.1 1TFT
1.3.1 2制造商的专利名称
1.3.1 3MOS的集成:CMOS、BiCMOS/BiMOS、HV-CMOS
1.3.1 4FET发展简史
1.4 场效应管的个性
1.5 电路中的FET
1.6 场效应管模块
1.6.1 模块的优势
1.6.2 模块的基本结构和一般特征
1.6.3 模块的常见种类:Module、IPM、PIM
1.6.4 MCM、SIP/SOP
1.6.5 板级封装
1.7 场效应管的发展近况
1.7.1 小型化封装
1.7.2 低功耗趋势
1.7.3 低电压规格趋势

第2章 实践初步
2.1 认识电路中的VMOS
2.2 用万用表简单判别FET
2.2.1 一般原则与适用范围
2.2.2 根据外形和型号判别FET的类型和主要技术规格
2.2.3 用万用表判别VMOS的引脚和好坏
2.2.4 用万用表判别JFET的引脚
2.3 花10元钱做两个FET的简单实验
2.3.1 VMOS实验:工频同步整流电路
2.3.2 JFET实验:甲类耳放
2.4 为避免在电路实验中炸管准备一些简单的工具
2.4.1 用接触式调压器构建实验电源
2.4.2 为驱动电路和控制电路准备单独的直流电源
2.4.3 电炉丝,方便易用的假负载与小阻值的大功率电阻

第3章 VMOS的技术参数
3.1 极限参数:VDDS、ID、PD、SOA、TA
3.1.1 电压规格:VDDS、VDS、BVDDS、V(BR)DSS
3.1.2 电流规格:ID及其IDP、IDM
3.1.3 温度参数:TJ、TC、TA、Tch、TSTG、TL
3.1.4 功率规格:PD、Ptot、IDR、IS
3.1.5 SOA
3.1.6 SOA的实际意义
3.1.7 EA、EAR、EAS、IAR、dV/dt
3.1.8 极限参数的一般应用:降额因素
3.2 热传导参数:R鐹C、R鐲S、R鐹A、R鐹CD、R鐲A
3.2.1 定义
3.2.2 热欧姆定律
3.3 电参数
3.3.1 通态电阻:RDS(ON)
3.3.2 跨导:gfs、|Yfs|、gm
3.3.3 结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
3.3.4 开关参数ton、td(on)、tr、toff、td(off)、tf
3.3.5 栅电荷Qg、Qgs、Qgd
3.3.6 体二极管的技术参数VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM
3.3.7 技术手册中的其他电参数

第4章 JFET的技术参数
4.1 小功率JFET的技术参数
4.1.1 小功率JFET
4.1.2 小功率JFET技术参数概览
4.1.3 小功率JFET部分技术参数概述
4.2 功率JFET的技术参数
4.2.1 用于射频功率放大的功率JFET
4.2.2 VFET的技术参数

第5章 基本电路
5.1 场效应管放大器的仿真模型
5.2 电压放大器的分类
5.3 功率放大器与工作点
5.3.1 A类、AB类、D类、C类及其他
5.3.2 晶体管的工作点
5.3.3 基本电路形式
5.4 电路拓扑的基本类型
5.4.1 全桥(H桥)
5.4.2 半桥
5.4.3 无处不在的推挽
5.4.4 Totem-Pole(图腾柱),桥接
5.4.5 单管
5.4.6 三相桥
5.5 模块内部的等效电路
5.6 开关电源的常见类型
5.6.1 开关电源的一般分类
5.6.2 电感式开关电源的一般原理
5.6.3 电感的工作模式:CCM与DCM
5.6.4 AC-DC与DC-DC开关电源
5.6.5 Charge Pump(电荷泵)
5.7 隔离型DC-DC开关电源的常见电路拓扑
5.7.1 Forward(正激)拓扑
5.7.2 Flyback(反激)拓扑,RCC
5.7.3 Half Bridge(半桥)拓扑,LLC(HB-LLC)
5.7.4 Push-Pull(推挽)拓扑,Royer
5.7.5 Full Bridge(全桥)拓扑
5.7.6 Dual SwitchForward(双管正激)拓扑
5.7.7 Active Clamp(有源钳位)拓扑
5.8 隔离型开关电源中的变压器
5.8.1 变压器的一般分析方法——磁路
5.8.2 理想的变压器
5.8.3 实际的变压器,励磁电感
5.8.4 实际变压器的漏感
5.8.5 实际变压器的功耗
5.9 非隔离型DC-DC开关电源的常见电路拓扑
5.9.1 Boost(升压)拓扑
5.9.2 Buck(降压),斩波
5.9.3 Buck-boost(升-降压)拓扑
5.9.4 Cuk(丘克)、Cuk
5.9.5 SEPIC
5.9.6 Zeta
5.9.7 SyncBuck(同步降压)拓扑,同步整流
5.9.8 Multi-PhaseSyncBuck(多相同步降压)拓扑
5.9.9 Split-Pi(Boost-Buck)
5.10 软开关
5.10.1 软开关
5.10.2 突波吸收
5.10.3 突波的抑制方法
5.10.4 突波吸收电容
5.11 多电平变换
5.11.1 多电平变换的常见拓扑类型
5.11.2 多电平变换拓扑的基本构成与特点
5.11.3 多电平变换拓扑的基本驱动方法
5.12 VMOS的驱动
5.12.1 VMOS的开通与关断
5.12.2 直接驱动VMOS
5.12.3 不隔离的高边驱动
5.12.4 栅极驱动的优化
5.12.5 栅极的隔离驱动
5.12.6 集成化的栅极驱动器件
5.13 VMOS的串联与并联
5.13.1 VMOS的并联
5.13.2 VMOS的串联

第6章 范例电路
6.1 基于双栅极MOSFET的广播调谐器高频头
6.1.1 简介
6.1.2 CT-7000的高频头电路
6.2 给大功率D类功放供电的开关电源
6.2.1 简介
6.2.2 电路架构
6.2.3 主开关电源的AC-DC部分
6.2.4 主开关电源的DC-DC部分
6.2.5 副开关电源
6.3 全分立元件的UCD大功率D类功放
6.3.1 UCD功放电路
6.3.2 原理概述
6.3.3 电路工作条件与元器件的选择
6.4 CCFL背光电源
6.4.1 LCD、CCFL、LCD显示面板、CCFL逆变电源
6.4.2 19英寸LCD显示面板的CCFL逆变电源
6.4.3 输入输出特性,灯管决定逆变电源的基本技术规格
6.4.4 FAN7311
6.4.5 FAN7311的主要工作参数
6.4.6 触发调光与线性调光
6.4.7 灯管的保护
6.4.8 谐振
6.5 电动自行车充电器
6.5.1 电路原理
6.5.2 UC3842
6.5.3 功率开关管STP9NK90Z
6.5.4 二极管
附录1 缩略语
附录2 VMOS技术参数符号简表
附录3 常见电荷泵IC
参考文献